بررسی اثرات حاملهای بار در نیمه هادیهای فرومغناطیس با استفاده از مدل هایزنبرگ

تقریب پتانسیل همدوس برای مطالعه اثر حاملهای بار روی دمای کوری، tc، نیمه رساناهایی مانند euo و eus استفاده شده است . ما از تئوری میدان میانگین تعمیم یافته برای افت و خیز -fاسپینها. از مدل ونسووسکی برای بررسی کنش الکترونهای رسانش با اسپینهای جایگزیده استفاده می کنیم. تغییر در tc در نتیجه جفت شدگی غیر مستقیم اسپینهای جایگزیده از طریق الکترونهای رسانش ، بصورت یک تابع از چگالی حاملها تعیین می شود. نتایج با پیشگوئیهای rkky سازگار است . هامیلتونین توصیف کننده کنش بین الکترونهای رسانش و اسپینهای رسانش و اسینهای جایگزیده در نیمه رساناهای فرومغناطیس مانند ترکیبات eu بوسیله هامبلتونین ونسووسکی داده می شود. کنش مستقیم بین الکترونها در مقایسه با کنش s-f حذف شده است با استفاده از روش cpa همراه با gmf (میدان میانگین تعمیم یافته). حالت الکترونها در یک محیط موثر را که در آن یک -sالکترون در معرض یک پتانسیل مختلط، ، مطابق با جهت اسپینش باشد بررسی کردیم. خود انرژی، ، برای تعیین چگالی حالتهای اسپین قطبیده مورد استفاده قرار می گیرد. چون در نیمه رساناهای معمولی، انرژی برانگیختگی مغناطیسی در مقایسه با پهنای باند و انرژی تبادلی s-f خیلی کوچک است اسپینهای f به صورت یک سیستم شبه ایستا بازگو می شوند. در هر دما میانگین گرمایی اسپین f افت و خیزکننده با استفاده از هامیلتونین میدان میانگین تعمیم یافته محاسبه می شود که این هامبلتونین توصیف کننده اثر فبدبک بین مغناطش اسپینهای جایگزیده و مغناطش الکترونهای سیار می باشد. همانطور که چگالی حالتها تعیین شد، پتانسیل شیمیایی، می تواند با این روش تعیین شود ما دمای کوری، مغناطش و قطبیدگی الکترونی را برای نیمه رساناهای فرومغناطیس euo و eus بصورت یک تابع از چگالی حاملهای بار و کنش تبادلی s-fمحاسبه کرده ایم.